Колоссальные размеры первого поколения ЭВМ, сложность их охлаждающих систем, низкая надежность электронных ламп и реле, энергетическая «прожорливость», конечно, не могли удовлетворять растущим требованиям техники. Они особенно возросли в связи с бурным развитием ядерной и ракетной техники, вапуском искусственных спутников п космических кораблей, автоматизацией многих технологических процессов и т. д.
Полупроводники. Именно благодаря им в середине 50-х годов появились, ЭВМ, в которых основными элементами были транзисторы. С их появлением началась жизнь второго поколения ЭВМ, обладающих значительно более высокой надежностью, чем ламповые, потребляющих меньше энергии и, что самое главное, имеющих более высокое быстродействие — десятки и сотни тысяч операций в секунду!
Дальнейшее увеличение быстродействия ЭВМ было связано с миниатюризацией конструктивных элементов машин — транзисторов, резисторов, конденсаторов, диодов. После долгих экспериментов и поисков в середи-не 60-х годов появились так называемые малые интегральные схемы (МИС), которые стали основой ЭВМ третьего поколения. В результате этого резко возросли быстродействие (сотни тысяч — миллионы операций в секунду) и надежность машин, а сами они заметно «похудели».
В начале 70-х годов совершенствование интегральной технологии привело к созданию средних интегральных схем (СИС). Каждая такая схема содержала уже десятки и сотни активных и пассивных элементов с необходимыми между ними соединениями. Соответственно размеры ЭВМ уменьшились, а их быстродействие увеличилось. Применение СРЮ в вычислительной технике привело к рождению четвертого поколения ЭВМ.
Появление больших интегральных схем (БИС)' озпа-меновало собой возникновение пятого поколения ЭВМ. Созданные образцы БИС содержат уже на одном монокристалле полупроводника несколько сотен и даже тысячи (рекорд приближается к 100000) различных элементов. ЭВМ на таких схемах смогут решать более сложные задачи, значительно повысится их быстродействие в надежность работы.
С развитием и совершенствованием БИС, а также интеграции элементов существенно изменяются, конечно, и