мость полупроводника (возникает дополнительная прово-димость — примесная). Например, примесь одного атома индия на миллиард атомов германия увеличивает электропроводимость последнего в миллионы раз.
Если ввести в полупроводник атомы примеси, например добавить в германий элементы пятой группы (сурьму или мышьяк) (см. рис. 8, б), то тогда четыре электрона атома примеси образуют ковалентные связи с соседними атомами кристаллической решетки германия, а пятый электрон окажется не занятым в связях — он будет кай бы лишним. Этот электрон связан со своим атомом гораздо слабее, чем остальные электроны. Поэтому в результате теплового движения такие избыточные электроны легко «освобождаются» от атомов и становятся свободными. Эти электроны и будут представлять собой основные, но не единственные носители электрического тока в полупроводнике. В этом случае полупроводник будет обладать электронной проводимостью или проводимостью гс-типа (от английского слова negative — отрицательный).
Если же в качестве примеси использовать элементы третьей группы, например индий или галлий, у которых имеется три электрона на внешней оболочке (рис. 8, в), то эти атомы образуют ковалентные связи с тремя соседними атомами в структуре кристалла, а около четвертого атома образуется дырка. Дырки при наличии электрического поля перемещаются в полупроводнике, возникает дырочная проводимость. В полупроводниках с такой примесью дырочная проводимость преобладает над электронной, поэтому их называют дырочными или полупроводниками p-типа (от английского слова positive — положительный).
Если ввести в кристалл полупроводника разные примеси, то можно получить в нем области, обладающие различным видом проводимости. На границе таких областей образуется так называемый электронно-дырочный р—л-пе-реход. На использовании свойств этого р—л-перехода и основано большинство современных полупроводниковых приборов.
При комнатной температуре электроны перемещаются через р—л-переход из л-полупроводника в р-полупровод-ник, где их концентрация меньше. Это приводит к созданию положительного потенциала в л-области и отрицательного потенциала в p-области. Если подключить теперь р—п-переход к источнику питания таким образом,