чтобы «плюс» источника был подсоединен к дырочной области, а «минус» — к электронной (рис. 10), то электроны, которыми обильно насыщена электронная область, будут двигаться к положительному полюсу батареи, а дырки — к отрицательному. Два потока зарядов создадут через р—п-переход ток 1\.
Рас. 11. Обратное- напряжение, приложенное к р—п-переходу. Возникает потенциальный барьер, препятствующий протеканию
Если поменять местами аолюса источника питания (рис. 11), то картина резко изменится. Теперь электроны отталкиваются электрическим полем в стороггу положительного полюса. В дырочной области электроны будут смещаться не к «минусу» источника, а в глубь полупроводника и заполнят все дырки у гра-ницы электронно-дырочного перехода. Потенциал на р—л-переходе окажется противоположным внешне
му потенциалу и будет препятствовать прохождению тока, т. е. /2^/1.
Таким образом, р—л-переход пропускает ток преимущественно в одном направлении, т. е. имеет одностороннюю проводимость. '
Вернемся еще раз к запертому р—л-переходу. Около него нет теперь дырок в дырочной области, нет и свободных электронов в электронной области. Здесь образовался запирающий слой — «потенциальный барьер», в котором полупроводник превратился в диэлектрик. Но ведь это очень важно: электрическим воздействием можно менять свойства слоя вещества внутри кристалла.
И еще одно положительное свойство электронно-дырочного перехода: ширина запирающего слоя в «запер