Немалая заслуга в исследованиях полупроводников принадлежит советским ученым Б. В. Курчатову о Б. П. Жуае. В своей работе «К вопросу об электропровод* ности закиси меди», опубликованной в 1932 г., они показали, что величина и тип электропроводимости определят ются концентрацией и природой примесей. Немного позднее советский физик Яков Ильич Френкель создал теорию возбуждения в полупроводниках парных зарядов, т. е. электронов и дырок.
В 1938 г. советский фивик Б. И. Давыдов разработал диффузионную теорию выпрямления переменного электрического тока на границе двух полупроводников. Экспериментальное подтверждение этой теории сыграло важную роль в исследовании процессов, происходящих в электронно-дырочных переходах. Как мы увидим позже, используя идеи Б. И. Давыдова, американский физик У. Шокли заложил основы современной теории электронно-дырочных переходов.
Так обстояли дела к 1938 г., когда американцы У. Шокли и А. Холден предприняли попытку создать усилитель, используя угольные контакты, на которые оказывалось давление с помощью кварцевого кристалла. Но их постигла неудача. Работы продолжались. Были исследованы сотни разнообразных структур германия, кремния, по успеха достичь так и не удалось. Правда, в процессе этих исследований впервые были получены электронно-дырочные переходы, возник целый ряд идей и методов, с помощью которых ученые стремились объяснить наблюдаемые явления.
Хотя причины неудач еще не находили достаточного объяснения, но все понимали, что вот-вот должно появиться новое открытие. Нужно было сделать решающий шаг.
ТРАНЗИСТОР — ПОЖАЛУЙ, самое главное
Изобретателей транзистора позднее часто спрашивали, что привело их к открытию. Так, один из журналистов задал У. Шокли вопрос: «Как вы это сделали?» Он ответил, что транзистор появился не в результате приложения известной теории к практике для достижения желаемой цо* ли, но и не благодаря случаю. Напротив, транзистор был создан в результате сочетания усилий многих людей, потребностей общества и некоторых событий.