или другого диэлектрика; образование «окон»' заданной конфигурации в полупроводниковой, диэлектрической и металлической пленках; введение агомов примесей в глубь полупроводника через окна с помощью диффузии.
Дальнейшие операции зависят от типа, конструкции и назначения прибора и включают в себя пайку кристалла, укрепление выводов, защиту лаками, смолами, герметизацию в корпусе и т. д.
Кратко остановимся на методе диффузии, самом распространенном в настоящее время методе.
Для введения в полупроводник атомов аримесей кремниевую пластину нагревают до температуры около 1000°С, а затем ее помещают в пары нужной примеси. Атомы примеси через специальные окна бомбардируют кремниевую пластину и проникают в глубь полупроводника, При этом скорость проникновения (диффузия) зависит как от свойств диффундирующих атомов, так и от условий технологического процесса. Так, изменяя температуру и время процесса, можно регулировать глубину проникновения атомов примеси в полупроводник, тем самым меняя свойства микрообластей кремниевой пластины.
Несмотря на широкое применение метода диффузии у него есть один существенный недостаток: он не позволяет получать относительно тонкие слои.
В последние годы широкое применение при изготов лении полупроводниковых схем получили методы электронного и ионного внедрения примесей. Регулируя скорость потока электронов и ионов и фокусируя его с помощью электрических и магнитных полей в остров аправ-ленный луч, можно производить бомбардировку полупроводниковой пластины на заданную глубину и в нужную область. Таким образом, методы электронного и ионного внедрения примесей позволяют электрически управлять всем технологическим процессом, что повышает воспроизводимость параметров и надежность полупроводниковых схем.
Появление планарной технологии позволило за корот-кий срок создать огромное количество полупроводниковых приборов, в которых используются различные физические явления. Одни из них по принципу действия были похожи на транзисторы, другие имели принципиально новое устройство. Но почти все созданные приборы объединяло одно — наличие электронно-дырочного перехода. Подавляю