В настоящее время широкое распространение получили гибридные интегральные схемы. Они представляют собой сочетание пленочных пассивных элементов и навесных активных элементов.
Резисторы, конденсаторы, контактные площадки и внутрисхемные соединения изготавливают с помощью методов тонкопленочной технологии.
Навесные активные элементы (транзисторы и диоды) по способу герметизации делятся на корпусные и бескор-пусные. Их укрепляют либо на плате с пленочными пассивными элементами, либо на основании корпуса гибридной микросхемы. Для защиты от внешних воздействий микросхемы заливают специальным изоляционным материалом.
Полупроводниковая интегральная схема состоит из активных и пассивных элементов, изготовленных в одном монокристалле полупроводника.
Большинство полупроводниковых интегральных схем получают, используя пластинку кремния с дырочной проводимостью, выращивая на ее поверхности слой материала с электронной проводимостью. Необходимые элементы таких схем и соединения между ними изготавливают в едином технологическом процессе путем введения соответствующих примесей. Так, для формирования транзисторов используют три слоя, для диодов—два слоя или соответствующим образом включенный транзистор. Если нанести поверх защитного слоя пленку из материала, проводящего электрический ток, получают резистор с нужным сопротивлением. Подобным же образом можно выполнить и конденсатор.
Но можно обойтись и без пленок. Тогда роль конденсатора будет выполнять емкость электронно-дырочноI о перехода, а резистора — один из слоев кремниевой пластинки.
Получается, что все элементы схемы, например радиоприемника, эа исключением громкоговорителя и антеп-ны, можно разместить в одном кристалле полупроводника.
Уже первые интегральные схемы показали высокую надежность их в эксплуатации. Кроме того, применение интегральных схем увеличивает быстродействие работы електронно-вычислительных машин. При этом резко (уменьшаются их габариты и масса.