Это отставание приведет к пересечению кривых иа и Ёт в момент времени при котором £т=иа, как это видно из линейной диаграммы, изображенной на рис. 4.19-
Так как при Ёт<Ой диод будет заперт, то в период времени от /1 до Щ диод запрется и конденсатор С будет разряжаться на сопротивление нагрузки, что и определит форму кривой напряжения 0,1 на сопротивлении нагрузки в этот период времени. Иначе говоря, в течение промежутка времени от /| до 4г форма выходного напряжения определится законом разряда конденсатора, а не формой огибающей кривой входного высокочастотного напряжения, результатом чего и является наличие нелинейных искажений в диодном детекторе, обусловленных комплексностью нагрузки.
Очевидно, что чем больше емкость С, тем больше степень нелинейных искажений, тем выше точка пересечения кривых О' и тем медленнее происходит процесс разряда конденсатора через сопротивление нагрузки.
Выведем условие, при котором нелинейные искажения будут отсутствовать и диод не может оказаться запертым.
Рассматривая линейные диаграммы рис. 4.17 и 4.19, видим, что в первой из них, характеризующейся отсутствием нелинейных искажений, обе кривые Ет и £/<* изменяются во времени с Одинаковыми скоростями, в то время как для второй диаграммы (рис. 4.19) (особенно заметно в период времени от до ||] характерно различие в скоростях убывания Ет пОлОтнойению к £/<*; здесь скорость убывания Ет больше скорости убывания £/<*, что и приводит к пересечению кривых, т. е. к запиранию диода и появлению нелинейных искажений.
Отсюда очевидно, что возникновение нелинейных искажений тем более вероятно, чем больше скорость изменения Ет по сравнению со скоростью изменения Ж Поскольку скорости изменения во времени Ет и и& характеризуются их производными, то вывести требуемое условие отсутствия нелинейных искажений можно путем их сопоставления.