Отсюда следует, что при (/?'=/? синусоидальному изменению Ет соответствует синусоидальное изменение и и Ой — пунктирная кривая Ь. Если же Я'ФЯ, то в момент времени 1\ ток обращается в нуль, т. е. диод запирается и происходит отсечка тока и напряжения Щ — сплошная кривая Ь'.
В период времени от | до 12 диод заперт и конденсатор С\ разряжается через суммарное сопротивление Однако
из-за большой величины емкости Ц напряжение на ней в период времени 1/1—щ будет практически неизменно, поэтому и напряжение Vл также остается постоянным. После момента времени ^2 диод отпирается и напряжение снова будет изменяться в соответствии с изменением Ет.
Искажения за счет отсечки и нелинейности характеристик будут тем больше, чем больше отличается Я от Щ Анализ показывает, что если выполняется неравенство
то коэффициент нелинейных искажений не превышает десятых долей процента и при этом отсутствует отсечка тока.
§ 4. ДЕТЕКТОРНЫЕ СХЕМЫ С УСИЛЕНИЕМ
Детекторные схемы с усилением в основном осуществляются в виде схем сеточного и анодного детектирования.
1. Схема сеточного детектирования
Простейшая схема сеточного детектирования приведена на рис. 4.22. Подобно диодному детектору, в схеме сеточного детектирования процесс детектирования осуществляется также диодом, анодом которого является управляющая сетка трех- или многоэлектродной лампы.
Рис. 4.22.
В схеме сеточного детектирования используется нелинейность характеристики сеточного тока /*=<р(£/*) (рис. 4.23) полагая, что изменения анодного напряжения в нижнем участке характеристики сеточного тока мало влияют на его значение.