Таким образом, процесс детектирования происходит здесь в сеточной цепи, и напряжение частоты модуляции прилагается между сеткой и катодом лампы, усиливаясь затем в анодной цепи.
Подобно диодному детектированию, постоянная составляющая сеточного тока Щ изменяется в соответствии с изменением огибающей кривой переменного напряжения высокой частоты.
С увеличением Ете растут и т. е. увеличивается падение напряжения на сопротивлении Щ и, следовательно, отрицательное смещение на сетке лампы. При изменении Етд с частотой модуляции меняется и отрицательное смещение с той же частотой.
Если теперь выбрать, рабочую точку на характеристике /а=<ф((Уй) с таким расчетом, чтобы кривая напряжения на сетке не выходила за пределы прямолинейного участка характеристики анодного тока, то изменение формы кривой анодного тока будет следовать за изменениями огибающей входного напряжения.
Поскольку в сеточной цет^імеются лїостоянная составляющая, составляющая модуляционной частоты и составляющая высокой частоты, то они будут и в анодной цепи. Однако полезной является составляющая частоты модуляции, которая и будет создавать падение напряжения на анодной нагрузке (в нашем случае ни первичной обмотке низкочастотного трансформатора), составляющая же высокой частоты будет отфильтрована конденсатором Са.
Детекторная характеристика обычно выражается зависимостью приращения полезной составляющей анодного тока от амплитуды приложенного к сетке напряжения, т. е. Д/в<і=І
=ф(£7Т,8).
Малые значения £тв вначале попадают на параболический участок характеристики (рис. 4.24), затем, аналогично диоду, криволинейный участок переходит в прямолинейный и при больших амплитудах Ете, в отличие от диода, характеристика имеет верхний загиб.