Верхний загиб обусловливается уходом рабочей точки (при больших Ет8) за пределы прямолинейного участка характеристики анодного тока (£/*). <При этом наряду {В сеточным детектированием возникает и анодное, которое можно устранить, повысив анодное напряжение и тем самым сдвинув вправо верхний загиб характеристики.
-При расчете сеточного детектора могут быть использованы основные соображения, лежащие в основе выбора составляющих схемы диодного детектора, т. е. выбор Rg и С6 производится аналогично выбору У? и С в схеме диодного детектора.
Напряжение низкой частоты, приложенное к управляющей сетке лампы, может быть определено из
где К<и как в диодном детекторе, составляет от 0,8 до 0,9.
Определив ивЛт, дальнейший расчет ведем как для, усилителя низкой частоты.
Чтобы уменьшить степень нелинейных искажений, амплитуда Е-тво должна составлять 0,25—0,3 от напряжения, которое может быть подведено к сетке лампы, используемой в качестве усилителя низкой частоты. Основным преимуществом сетряного детектора по сравнению с диодным является, кроме самого факта усиления в анодной цепи лампы, также большая чувствительность при малых входных напряжениях Ете, ч|о объясняется значительной крутизной характеристики сеточного тока.
2; Схема анодного детектирования
’Схема анодного детектирования приведена на рис. 4.25; диаграмма работы схемы представлена на рис. 4.26.
Рнс. 4.25.
Как видно из рис. 4.26, рабочая точка обусловлена величиной отрицательного напряжения смещения на сетке Е8 и устанавливается на нижнем сгибе характеристики анодного тока <а=і1> (£/*).