Мощность рассеяния на анодах ламп одного плеча двухтактной схемы (при одной лампе в плече — мощность рассеяния на аноде одной лампы) определится как половина полной мощности рассеяния, т. е. как половина разности потребляемой и отдаваемой (колебательной) мощности
Р0-Р.
Ррасе —
или согласно (8.84) и (8.87)
(8.88)
Ррасе — — Е&Іа т ~Т Ма/и Ш
Из выражений (8.84), (8.87) и (8.88) видно, что как колебательная, потребляемая, так и мощность рассеяния зависят от величины входного сигнала, как это графически показано
на рис. 8.35. Характерным для мощности рассеяния является то, что она вначале возрастает с увеличением сигнала, а затем падает, достигая своей критической величины в точке О'. Из (8.88) получим
Так как в режиме класса В можно значительно повысить коэффициент использования анодного напряжения, теоретически выбрав его близким к единице, то при | ~ 0,95 к. п. д. может быть получен равным 75%, в то время как в режиме класса А к. п. д. не может быть больше 50%\