материалом, как, например, вольфрам — германий, либо фосфористая бронза — пирит, сталь — пирит, латунь — гален, цинкит — графит и т. д.
Из-за -/наличия обратного тока, как (видно из рис. 12.37, характеристика кристаллического диода не может быть апроксимирована зависимостями идеального диода.
В этом случае характеристика может быть /представлена зависимостью
где Ь щ. именованный параметр диода.
Малые размеры кристаллического смесителя позволяют расположить его внутри объемного резонатора или коакси-
Рис. 12.37.
Рис. 12.36.
ального кабеля і качестве полезной нагрузки. При этом нелинейный элемент находится в электромагнитном поле, имеющем составляющие от сигнала и гетеродина.
Благодаря нелинейности в кристаллическом смесителе создается ток промежуточной частоты как результат воздей-
Ряс. 12.38.
ствия суммарного напряжения от сигнала и гетеродина, который и подводится затем с помощью концентрического кабеля к усилителю промежуточной частоты.
На рис. 12.38 показаны для примера схемы включения кристаллического смесителя в коаксиальный кабель (я), волновод (б) и объемный резонатор (в) соответственно.