в ближайшее время. Уже. сейчас имеются кристаллические триоды, работающие в диапазонах частот, измеряемых десятками, сотнями, тысячами и даже десятками тысяч мегагерц. Имеются кристаллические триоды, выходная мощность которых измеряется десятками ватт.
В настоящее время кристаллические триоды широко используются в усилителях низкой частоты, генераторах, мультивибраторах и в радиоприемных устройствах.
В настоящей главе, не претендующей на исчерпывающую полноту и строгую методичность, сделана попытка в весьма сжатой форме изложить основные вопросы работы кристаллического триода в отдельных цепях радиоприемного устройства.
§ 1. ОСНОВНЫЕ ТИПЫ ТРАНЗИСТОРОВ
Кристаллическим триодом называется изобретенный в 1948 В полупроводниковый трехэлектродный прибор, применяемый для усиления, преобразования и возбуждения электрических колебаний различной формы.
Действие кристаллического триода имеет известное сходству^ действием электронной лампы и основано на том, что ■управление потоком носителей электрических зарядов, распространяющихся в полупроводнике, требует меньшей затраты электрической мощности от внешнего источника, чем та, .которую способен выделить управляемый поток.
Кристаллический триод принято называть транзистором (transfer resistor ^-преобразователь сопротивлений).
В качестве полупроводника в современных транзисторах применяют германий '(Ge) и кремний (Si).
Возможность управления потоком электрических зарядов в полупроводнике путем затраты малой электрической мощности основана на некоторых свойствах электропроводности полупроводника, которые мы будет считать известными.
В упрощенном виде транзистор наиболее распространенного илогакостного р-п-р типа изображен >на рис. 15.1. Тремя его электродами являются эмиттер Эу коллектор К и основание О.
Из рис. 15.1 видно, что основной электрод непосредственно связан с кристаллом германия типа п, характеризующегося электронной проводимостью, а эмиттер и коллектор соединены с двумя крайними слоями германия типа р, характеризующимися дырочной проводимостью, причем концентрация дырок в p-области во много раз превышает концентрацию электронов в /1-области, т. е.