Условное обозначение транзистора, ib котором -в качестве основного слоя используется полупроводник германия типа п, т. е. триод типа р-п-р, приведено на рис. 15.2,а.
Аналогичный эффект может быть получен при применении в качестве полупроводника германия гггапа р, т. е. тра-Нт зистора типа п-р-п, обозначение которого приведено на рис. 1б.*2 ,б.
В последнем случае потенциалы, приложенные к эмиттеру и коллектору, должны , быть обратны тем, которые были приложены к триоду р-п-р типа.
Основное различие заключается в том, что носителями зарядов в триодах п-р-п являются не дырки, а электроны. Последнее до некоторой степени объясняет преимущественное использование триодов типа п-р-п в высокочастотных
Pirc. ' I щУ' ■ ■ .. Рлс,
схемах, ибо скорость переноса заряда электроном значительно превышает скорость переноса заряда дыркой, которая является основным носителем в транзисторах типа р-п-р.
Все приведенные соображения в основном справедливы не только в отношении транзисторов плоскостного типа, но и точечного, отличие которых заключается в конструктивном осуществлении контаков эмиттера и коллектора и в несколько иных'соотношениях коллекторного и эмиттерного токов и соответственно параметрах и характеристиках. Однако ввиду преимущественного использования в схемах-радиоприемных устройств транзисторов плоскостного'' типа основное внимание в последующем будет обращено на эти транзисторы.
Транзисторы можно классифицировать по технологическому признаку на сплавные, тянутые, полученные методом диффузии, конверсионные, микросплавные, поверхностнобарьерные, а также по механизму движения неосновных носителей—на диффузионные и дрейфовые.
Вместе с тем, вне зависимости от технологии изготовления и механизма движения носителей транзисторы могут быть разделены на транзисторы низкой, средней и высокой частоты.
Марка отечественных транзисторов составляется из трех элементов:
Первый элемент Ш буква «Л» — присваивается всем транзисторам и обозначает полупроводниковый триод-транзистор» 578