в отличие от диодов, датчиков Холла, фотоэлементов и других полупроводниковых приборов.
Второй элемент — цифра — обозначает порядковый номер разработки, отличает транзисторы по частоте, мощности и классификационному параметру. Цифра присваивается в соответствии с приведенной ниже табл. 1.
Таблица 1
Частотные предел
Низкочастотные рЦ5 Мгц
Высокочастотные /-g£ 5 Мгц
мощность рассеяния транзистора
малая ^0,25 вот
' большая 25 вот
малая
; ^0,25 вот
большая ^ 0,25 от
Классификационный параметр
Частоты
Яши Ш
Напряжения
Цкб, U-к э И
коэффициенты усиления по пост, току и в имп. режиме
Частоты
k** ft
Частота Ш при определенной мощности в нагрузке
Номера
транзи
сторов
герма
ниевых
йшо#
201—300
401—500
601—700
кремни-е вых
101—200
301—400
•501—600
701—800
Третий элемент Э буква = присваивается транзисторам, не отличающимся по классификационным признакам, но отличающимся по какому-то другому параметру или признаку..
В качестве примеров можно привести: 1) транзисторы П6Б, П9 и ШЗА—все германиевые, низкочастотные, малой мощности, с тем же классификационным параметром | =465 кгц, но разработанные по различной—технологии и в различное время; 2) транзисторы П13 и П14 — оба германиевые, низкочастотные, малой мощности, но различаются по классификационному параметру Ц (465 кщ и 1 Мгц соответственно); 3) транзисторы П13 и ШЗА имеют один классификационный параметр /в = ц=465 кгц, но отличаются по коэффициенту усиления а = |= (0,92 и 0,97 соответственно); 4) транзисторы П13 и П13Б не отличаются по /а и а, но отличаются по коэффициенту шума /^щ.
Исключение из приведенных выше правил маркировки составляют транзисторы ранних выпусков: П4, П5 и П6.
Транзисторы плоскостного типа могут быть получены путем вплавления электродов эмиттера и коллектора (рис. 15.3,а) и путем вытягивания из расплава (рис. 15.3,6). В первом случае при. вплавлении металлического электрода эмиттера или коллектора в месте припая образуется слой