полупроводника с противоположной проводимостью главным образом благодаря внесению в полупроводник химических элементов другой валентности; так, например, для получения полупроводника с дырочной проводимостью (при основном
Рис. 15.3
полупроводнике германия типа п) следует ввести в него трехвалентные атомы индия. Получение областей с разным характером проводимости в полупроводнике путем вытягивания обусловлено химическим изменением полупроводника в результате охлаждения различных его частей при вытягивании из расплава.
§ 2. ПАРАМЕТРЫ И ЭКВИВАЛЕНТНЫЕ СХЕМЫ ТРАНЗИСТОРОВ
Транзистор с его тремя выводами, аналогично вакуумной лампе, в линейном режиме можно рассматривать как некоторый активный четырехполюсник (рис. 15.4), на вход которого подается напряжение Щ и с выхода которого снимается напряжение «2-,
На входе его протекает ток (1, на выхо-де — ТОК Щ
За независимые параметры могут быть приняты токи или напряжения. В зависимости от этого определяется и эквивалентная схема транзистора: в ь^щ&хоко в -п р ив о «-дит к эквивалентнрй-'СХёме сопротивлений, | выбор напряжений-^к эквивалентной схеме проводимостей. Эти схемы определяют и выбор системы параметров транзистора.
Основное отличие транзистора от электронной лампы заключается в том, что выходные напряжение и ток не являются функцией от входного напряжения, а определяются ^величиной тока на входе (в общем случае в цепи эмитте;р — »основание), который в свою очередь зависит от приложенного входного напряжения и сильно связан с током и напряжением на выходе транзистора.
Отмеченное обстоятельство и обусловливает различие в методах анализа и расчета схем на кристаллических и вакуумных триодах.