Из приведенных соображений становится очевидным преимущество Л-параметров для анализа схем на плоскостных транзисторах.
«В табл. 2 приводятся переходные формулы между 2- и ^-параметрами.
§ 3. ОСНОВНЫЕ СООТНОШЕНИЯ В УСИЛИТЕЛЬНОМ КАСКАДЕ
В реальных условиях транзистор обычно включается на некоторое сопротивление наїгрузки и на его вход подается напряжение от генератора, имеющего внутреннее сопротивление щ| • (їв дальнейшем условимся все внешние сопротивления, включаемые в .схему транзистора, обозначать большими буквами), при этом схема, использующая параметры со-
вид, рис 158
представленный на рис.Л5.8.
При в еденная схема дает
возможность определить следующие ее параметры: входное | выходное сопротивления и коэффициенты усиления по току, напряжению и мощности. Знание этих параметров необходимо при расчете схем на транзисторах.
Входное сопротивление схемы определится отношением
Учитывая направление токов в схеме рис. 15.8, выходное напряжение будет в противофазе с входным напряжением и определится из равенства
последнее вытекает также из уравнения Кирхгофа, составленного для второго контура:
Подставляя выходное напряжение, выраженное через сопротивление нагрузки, во второе уравнение системы (15.3), получим