меняются обратный коллекторный ток /ко, коэффициент усиления по току а, сопротивление коллекторного перехода гк, сопротивление базы Щ и т. д. За исключением сопротивления коллекторного перехода, остальные параметры увеличиваются с повышением температуры. В отличие от электронных ламп, где анодное и сеточное напряжения постоянны, в схемах с транзисторами должны быть постоянны коллекторный и эмиттерный токи и напряжение на коллекторе.
Рис. 15.12.
Появляющуюся нестабильность можно уменьшить применением различных методов стабилизации. Это можно осуще-^_ ствить двумя путями: а) при
менением раздельного питания эмиттера и коллектора, выбором характеристик транзисто-
Рис. 15.13.
ров и б) введением в схему усилителя элементов термокомпен-еации: термисторов, диодов, включенных по специальной схеме, сопротивлений, обеспечивающих необходимую величину смещения и обратной связи по току.
Наиболее простым и удобным методом является последний метод стабилизации рабочей точки путем включения в схему сопротивлений. Как уже было отмечено ранее, изменение температуры главным образом сказывается на увеличении обратного тока /ко и уменьшении сопротивления коллекторного перехода гк. Увеличение /ко происходит вследствие увеличения собственной проводимости полупроводника при повышении температуры. Рост обратного коллекторного тока может быть приближенно оценен с помощью выражения
где а обычно лежит в пределах 0,07—0,08.
Благодаря увеличению /ко выходные характеристики /к= Вф(С/к) сдвигаются в сторону увеличения коллекторного тока /к, при этом также уменьшается их крутизна, как показано на рис. 15.12, вследствие уменьшения сопротивления коллекторного перехода гк. На рис. 15.13 приведена приближенная схема прохождения, токов в германиевом транзисторе. Очевидно также, что изменение /ко приводит к изменению тока эмиттера /э и напряжения на коллекторе £%>