В схемах предварительного усиления низкой частоты используются схемы включения транзистора с общим основанием и с общим эмиттером. Чаще всего применяется схема с общим эмиттером, так как в этом случае обеспечивается усиление по напряжению, приблизительно в |/ § раз большее, чем в схеме с общим основанием.
При расчете коэффициета усиления каскада по напряжению следует учитывать сопротивление нагрузки по переменному току, которое с учетом шунтирующего действия входного сопротивления следующего транзистора будет
Здесь Я0Т2 — входное сопротивление следующего транзистора, которое для схемы с общим эмиттером определяется по формуле
где рЦ2—-сопротивление нагрузки, включенное в коллектор второго каскада.
Коэффициенты усиления по напряжению, току и мощности для схемы с общим эмиттером могут быть определены соответственно по приближенным формулам:
Из-за малой величины входного сопротивления транзистора следующего каскада переходная емкость С должна быть значительно больше аналогичной емкости в ламповых ■схемах.
Порядок ее величины можно определить из формулы
где /’н —наинизшая частота диапазона звуковых частот.
При проектировании многокаскадного усилителя низкой частоты возникает необходимость в согласовании каскадов.
Междукаскадная связь может быть либо емкостной, как в рассматриваемом случае усилителя на сопротивлениях (схема рис. 15.14, т. е. без согласования), либо трансформаторной, как показано на рис. 15.20.
С точки зрения получения наибольшего усиления рекомендуется применять трансформаторную связь между каскадами.