В диапазоне высоких частот зависимость параметров от частоты обусловливается следующими основными причинами: , '
а) Наличием емкостей «коллектор Н база» Ск_ и «эмиттер Я база» Сэ. Однако ввиду малого сопротивления эмиттер-ного перехода гэ емкость Сэ играет значительно меньшую роль, чем емкость Ск, которая изменяется в пределах от единиц до.десятков пикофарад.
Наряду с этим емкость Ск-зависит и от величины напряжения на коллекторе и увеличивается с его уменьшением.
б) Различием в скоростях носителей заряда и конечным временем его движения от эмиттера к коллектору. Последнее приводит к искажению формы тока на выходе при высокой частоте, тем большему, чем больше расстояние от эмиттера к коллектору.
Такие же искажения вызываются и неравномерностью толщины основания транзистора.
Результатом этих причин является уменьшение амплитуды тока в цепи коллектора с увеличением частоты и уменьшение коэффициента усиления по току.
Как уже отмечалось, на частотные свойства транзистора влияет материал его основания.
В связи с тем, что подвижность электронов примерно в два раза больше подвижности «дырок», транзисторы, у которых материал основания имеет «дырочную» проводимость (т. е. транзисторы типа п-р-п)у могут работать на более высоких частотах, чем транзисторы, у которых основанием служит материал, обладающий электронной проводимостью (т. е. триоды типа р-п-р).
Однако и здесь увеличение предельной частоты ограничивается конструктивными и технологическими трудностями. Так, например, в транзисторе типа р-п-р при толщине пластины порядка 5 мк предельная частота составляет 45— 50 Мгц.
Последующее уменьшение толщины пластины встречает значительные трудности при изготовлении и, кроме того, приводит к усилению обратной связи между коллектором и эмиттером, что сказывается на устойчивости работы транзистора в схеме.
Вообще говоря, с частотой изменяются все параметры транзистора.
Для точечных транзисторов можно считать, что до частоты в 10 Мгц параметры гэ, гк, Гб и Ск остаются практически постоянными.
Значительно меняется с частотой величина гг, поэтому гг=г ЩШщ в основном и определяет частотные свойства транзисторов.