лампами уровень шумов в транаисторах оказывается большим.
У точечных транзисторов это в значительной степени обусловливается наличием точечных контактов, поэтому и частотный спектр шума имеет большое сходство со спектром контактных шумов.
Для транзисторов характерно увеличение мощности шума с уменьшением частоты.
Среднее значение коэффициента шума для большинства плоскостных транзисторов на частоте 1 кгц (в узкой полосе частот) лежит в пределах 15—30 дб; на частотах 100— 200 кгц уровень шума составляет около 10 дб, в то время как уровень шума точечных транзисторов лежит в пределах 40— 50 дб.
Уровень шума-зависит также от напряжения и тока в коллекторной цепи; по-видимому, здесь существуют некоторые оптимальные значения, определяющиеся типом транзистора.
Расчет схемы усилителей высокой частоты на транзисторах, как и на электронных лампах, имеет своей конечной целью определение Коэффициентов усиления по напряжению и мощности, ширины полосы пропускания и избирательности на некоторой рабочей частоте. При расчете схем на транзисторах возникает затруднение, выражающееся во взаимозависимости входного и выходного сопротивлений.
Расчёты значительно упрощаются при условии согласования, т. е. в случае, когда выходное сопротивление предыдущего каскада равно входному сопротивлению последующего.
При полном согласовании входное и выходное сопротивления зависят только от параметров используемых транзи-ЯИроВ.
На рис. 15.24 приведеньГразличные схемы усилителей высокой частоты на транзисторах.
На рис. 15.24, а, б и в приведены схемы усилителей высокой частоты с одиночным колебательным контуром; на рисйД5.24,а и б—г схемы включения транзистора с общей базой и общим эмиттером соответственно при автотрансформаторном включении контура; на рис. 15.24,вЯсхема с индуктивной связью с включением транзистора с общим эмиттером и на рис. 15.24,г:схем а с двумя связанными колебательными контурами при автотрансформаторном включении.
Условия согласования и коэффициент усиления по напряжению в схеме усилителя высокой частоты с одиночным колебательным контуром при автотрансформаторном включении могут быть найдены из следующих соображений.
Представим транзистор- в виде четырехполюсника, включенного на часть витков катушки колебательного контура Ь'к, с коэффициентом включения по выходной, коллекторной, цепи