Как показал опыт, гетеродины на транзисторах имеют вполне удовлетворительную для обычных приемников нестабильность по частоте, порядка 10-3 или 0,1%'.
Емкость Са служит для компенсации фазового сдвига, возникающего на частотах, близких к граничной частоте транзистора щ что позволяет увеличить частотные границы устойчивой работы транзистора. Напряжение сигнала промежуточной частоты выделяется контуром £СЭ, который связан с усилителем промежуточной частоты.
Недостатками таких преобразователей является склонность их к самовозбуждению на частотах, близких к проме^ жуточной, т. е. на крайних частотах средневолнового и длинноволнового диапазонов, и сложность коммутации при переходе с одного поддиапазона на другой.
Более широкое распространение получили преобразователи с совмещенным гетеродином. На рис. 15.31,6 - приведена одна из возможных схем преобразовательного каскада с одним транзистором Тх> на базу которого поступают одновременно два напряжения: напряжение с частотой принимаемого сигнала через катушку связи Ьсв и напряжение с ^частотой гетеродина, снимаемое с части катушки контура гетеродина ЬТСС\. Гетеродин собран на этом же транзисторе по обычной схеме с индуктивной обратной связью. В результате преобразования в коллекторной цепи гетеродина на контуре ЬС3 выделится напряжение промежуточной частоты, которое с по-624