/Супч— коэффициент усиления по напряжению усилителя промежуточной частоты (при апериодической нагрузке — реостатная схема 10-І-15, с нагрузкой в виде колебательного контура 70 9 80).
Каи в ламповых супергетеродинных приемниках, и тем более в приемниках на транзисторах усиление по промежуточной частоте обеспечивает основное усиление по высокой частоте, что требует от усилительных каскадов в первую очередь определенной устойчивости при заданной избирательности.
Существует несколько путей построения усилителей промежуточной частоты в приемниках на транзисторах. Одной из первых схем усилителя промежуточной частоты на транзисторах является схема каскада с колебательным контуром в качестве нагрузки, работающая в оптимальном или близком к оптимальному режиму использования транзистора. Такая схема требует точной нейтрализации, жесткой стабилизации режима и предварительного весьма тщательного отбора и ’Отбраковки транзисторов по их параметрам при массовом производстве приемников. Значительно более рациональным, особенно при серийном изготовлении приемников, является метод использования фильтра сосредоточенной избирательности сразу после преобразователя частоты, который и определяет избирательные свойства приемника, а необходимое усиление по промежуточной частоте обеспечивается несколькими апериодическими каскадами.
В этом случае нет необходимости получать максимальное усиление от транзистора, что в значительной мере упрощая схему, не требует нейтрализации, так как транзистор, будучи нагружен на входное сопротивление следующего каскада, работает в режиме короткого замыкания и устраняет возможность самовозбуждения, потому что в коллекторной цепи транзистора нет индуктивной нагрузки.
Процесс отбраковки транзисторов также упрощается, и отпадает небходимость в жесткой стабилизации режима, так как с изменением тока все проводимости транзистора меняются приблизительно одинаково, и, следовательно, коэффициент усиления изменяется мало, что позволяет применить простую схему стабилизации— с автоматическим смещением.
Использование фильтра сосредоточенной избирательности уменьшает влияние транзистора на полосу пропускания и избирательность приемника.