запоминающее устройство может быть выполнено на различных элементах: схемах на ферритовых сердечниках и полупроводниковых приборах.
В ЭВМ первого и второго поколении самым распространенным видом памяти являются ЗУ на магнитных ферритовых сердечниках, в которых каждый бит информации хранится в небольшом тороидальном постоянном магните, намагничиваемом в одном из двух направлений. Направление намагниченности задается направлением тока, проходящего по пронизывающим память проводникам. Один сердечник хранит единицу информации (одного импульса) со значением «О» или «1». Соответствующий набор «0>> или «1» обозначает машинное слово или код в двоичной, восьмеричной или десятичной системе исчисления. Для обеспечения хранения одного машинного слова собирают блок матриц. Набор нескольких блоков матриц образует «куб памяти».
В современных микроЭВМ и микропроцессорах используют полупроводниковые ОЗУ, основанные на ИС, БИС и СБИС, а также приборы молекулярной электроники, которые отличаются от ферритовых устройств большим быстродействием, малыми габаритами и потребляемой мощностью. Так, оперативная память на приборах с зарядовой связью (ПЗС-структуры) и на цилиндрических магнитных доменах способна хранить информацию плотностью до 2 *106 бит, а на фотохромных материалах (принцип голографии)—плотностью 1011—1012 бит.
После монтажа блоков ОЗУ на ферритовых кольцах или блоков полупроводниковой памяти приступают к проверочным и регулировочным работам. Регулировочные работы являются одной из наиболее трудоемких и ответственных операций. При серийном выпуске на заводах изготовленные матрицы ЗУ регулируют на специальном контрольном стенде. Входящие в состав стенда измерительные приборы делятся на три части: логическую, обеспечивающую получение временной последовательности импульсов; формирующую, обеспечивающую формирование импульсов программы с необходимыми амплитудой, фронтом и длительностью сигнала; коммутационную (пульт стенда), обеспечивающую выполнение всех операций контроля. Для проверки ячеек матрицы используют специальную программу импульсов тока считывания и записи. Проверка и контроль осуществляются очень тщательно, поскольку даже незначительные отклонения параметров одного элемента могут привести к нарушению нормальной работы большого комплекса оборудования.
§ 53. Внешние запоминающие устройства
Для ввода в ЭВМ, длительного хранения и вывода информации из машины применяют внешние ЗУ. В зависимости от типа внешних ЗУ время ввода данных в машину исчисляется