единственный полупроводниковый прибор — кристаллический диод. Он имел один электронно-дырочный переход, обладал малой чувствительностью и был очень нестабилен о работе. В отличие от диода транзистор имел два электронно-дырочных перехода. В чем же особенности приборов с электронно-дырочными переходами?
Рис. 12. Принцип устройства плоскостного транзистора:
а) р—п—р-тила; б) п—р — п-типа.
Перед нами полупроводниковый триод. В нем нет стеклянного баллона, как в лампе, нет вакуума. Основа транзистора — крошечный кристалл германия (или кремния), в котором имеется три слоя полупроводников (три области) и два электронно-дырочных перехода (рис. 12). При этом крайние слои имеют одинаковую электропроводимость, средний — противоположную. В зависимости от типа примеси, введенной в кристалл, крайние слои могут быть дырочные, а внутренний — электронный (транзистор р—п—р) или, наоборот, крайние слои — электронные, внутренний — дырочный (транзистор п—р—п). Средняя область называется базой, а крайние — эмиттером и коллектором. Эмиттер выполняет такую же роль, как катод в электронной лампе, коллектор аналогичен аноду, а база — сетке.
На рисунке 13 изображены три основные схемы включения транзисторов и эквивалентные им схемы включения электронных ламп. Каждая схема пригодна для транзисторов р—п—р и п—р—л-типа, и отличаются между собой эти схемы лишь различной полярностью включения источников питания.
В качестве примера рассмотрим схему с общей базой (рис. 13, б). По этой схеме усиливаемый сигнал подается ва участок между эмиттером и базой, а выходной сигнал снимается между коллектором и базой.