Вторая особенность полупроводникового производства вытекает из микроскопических размеров отдельных элементов полупроводникового прибора. Третья особенность состоит в обеспечении сложнейшей техникой получения материалов повышенной чистоты, в строгом дозировании примесных атомов и введении их во вполне определенные места кристаллической решетки полупроводника. Чистый с точки зрения полупроводникового производства германий должен содержать в каждом кубическом сантиметре не более 1012 атомов посторонних примесей или один атом примеси на 10*° атомов исходного вещества. Отсюда возникают почти фантастические требования к гигиене в помещениях, где происходит технологические процессы. Специалисты считают, что запыленность воздуха в основных помещениях при производстве полупроводников не должна превышать 3000 пылинок на 1 м3, а на рабочем месте возле обрабатываемой пластины— не более 30 пылинок. Для сравнения укажем, что в 1 и3 обычного городского воздуха содержится около 50 миллионов пылинок. Перечисленные выше особенности показывают, насколько сложно полупроводниковое производство. Недаром его оборудование относится к категории самых высокоточных установок, а в ряде случаев просто не имеет аналогов ни в какой другой отрасли промышленности. В 1959 г. была предложена так называемая планарная1 технология изготовления полупроводниковых приборов, которая дала возможность перейти от изготовления отдельных приборов на «индивидуальных» кристаллах к изготовлению на одном кристалле большего количества приборов. В результате на одной пластинке полупроводника одновременно стало возможным изготавливать несколько тысяч транзисторов. Можно сказать, что благодаря этой технологии в производстве полупроводниковых приборов произошла техническая революция. Процесс изготовления транзисторов по планарной технологии включает в себя следующие основные операции: шлифовка и полировка исходной кремниевой пластины; ващита поверхности пластины пленкой двуокиси кремния 1 77 Термин «планарный» образован от английского слова planar— плоский. , | ||||||||
|