гут быть найдены из уравнений, ранее выведенных для и |вщ (для 1 параметров), т. е. из уравнений (15.10) и
(15.11), положив в них ZM=Z*T и ZBЫX=Z*B, где 2*г='#г—, —]'ХГ -^сопряженный комплекс внутреннего сопротивления генератора, а Z*'B=\RB—/Ян —сопряженный комплекс внутреннего сопротивления нагрузки.
б) При мнимом согласовании сопротивление генератора равно входному сопротивлению четырехполюсника, а сопротивление нагрузки равно выходному сопротивлению.
При этом не достигается максимального усиления по мощности, за исключением случая' низких частот, когда можно пренебречь реактивными слагающими, т. е. при низких частотах условия сопряженного И мнимого согласования совпадают и называются просто условиями согласования.
в) |При повторном согласовании цепочка одинаковых транзисторов включена последовательно (т. е. соблюдаются условия ^В=2ВХ и Zг=lZBЬIX); с энергетической точки зрения этот вид согласования наименее выгоден.
Аналитические выражения, характеризующие все три вида согласования, могут быть выведены как для параметров сопротивлений, проводимостей, так и для Л-параметров.
§ 6. СХЕМЫ ВКЛЮЧЕНИЯ ТРАНЗИСТОРОВ
Рассмотренные параметры транзистора были выведены без учета конкретной схемы его включения, т. е. как параметры четырехполюсника.
шлыим
Однако транзисторы могут быть включены гю трем основным схемам: а) с общим основанием, б) с общим эмиттером и в) с общим коллектором, как показано на принципиальных и эквивалентных им схемах рис. 15.11,а, б и в соответственно.
В приведенных эквивалентных схемах приняты следующие обозначения: гк-Д- сопротивление коллекторного перехода;