В зависимости от схемы включения транзистора должна -быть применена соответствующая группа щ или 2-параметров из таблицы.
Затем эта группа параметров подставляемся в выражения для входного и выходного сопротивлений и коэффициентов усилений, приведенных в табл. 3 для ^-параметров или в уравнения (15.9)., и (16.14)—для
е-параметров.
Для сопоставления в таб;л, 5 приведены усредненные параметры транзисторов плоскостного и точечноЦ типов.
Таблица 5
Параметр
Плоскостной
транзистор
Точечный
йЗ&ранэнстор
Срок службы, час
-
Усиление по МОЩНОСТИ КрЖШй-
20—30
Граничная частота, Мгц
3—5 и выше
1 5,-г-ЗО й выше
Коэффициент шума; дб
■ВІН
■ 45—50
К. п. д. в классе А;
НВшН
■Н8И
К. п. д. в классе В, °/о
1 ШИ
Коэффициент усиления по току, а
ИШЯ.99
НВи
Мощность р||сеивания /?КраС(;
до 20” вт и выше
20—200 мет
Ток эмиттера /э
до 5^1[0|а и выше
1—40 ма
Ток коллектора /к і
до 5—Щш и выше
2—90 ма
Напряжение на коллекторе, в
№И-200
80—100
Входное сопротивление, ом
200—400
200—1000
Выходное- сопротивление, Мом
Щ§-7І5
о.ЬщШ05
Точечные транзисторы применяются в импульсных спусковых схемах из-за большого коэффициента усиления по току, в то время как плоскостные транзисторы широко исполь^ зуются в различных схемах усиления и генерирования . _
§ 7. ТЕМПЕРАТУРНАЯ СТАБИЛИЗАЦИЯ УСИЛИТЕЛЕЙ НА ТРАНЗИСТОРАХ
Большинство германиевых^ Транзисторов имеют ограниченный диапазон рабочих температур, особенно в сторону повышения температуры.
Повышение температуры приводит к изменению параметров транзистора и соответственно усилительных схем на транзисторах.
Существо вопроса сводится в нескольких словах к тому, что с увеличением температуры окружающей среды и благодаря локальному разогреву коллекторного перехода значительно меняются параметры транзисторов, так как в полупроводнике возникают новые физические процессы, увеличивается подвижность носителей тока и т. д. Особенно сильно 592