проверку инструкций по регулировке, контролю блоков и изделия непосредственно на опытных образцах;
разработку методики термотренировок устройств для обеспечения устойчивости их радиотехнических параметров при различных климатических воздействиях;
разработку пооперационной технологии сборки, монтажа, регулировки и контроля;
разработку предложений по автоматизации и механизации сборочных, монтажных и регулировочных работ;
проектирование и изготовление технологической оснастки. Разработку РЭА осуществляют по техническому заданию, в котором указывают ее назначение и состав. В техническом задании обосновываются целесообразность разработки РЭА и соответствие ее современному уровню, приводятся экономические характеристики работы (эффективность, трудоемкость, стоимость и наличие комплектующих изделий).
Проектирование РЭА заключается в разработке принципиальной схемы и выборе номинальных значений и допусков на элементы РЭА и их параметры.
При традиционном методе проектирования сложная РЭА разбивается на функциональные группы; с помощью методик, разработанных для различных функциональных групп, производится ориентировочный расчет, изготовляются макеты, осуществляются настройка и регулировка (доводка) отдельных устройств и РЭА в целом.
Выполняя сложные операции, например регулировку блока УКВ радиоприемника, разрабатывают технологические инструкции, которые являются дополнением к технологической карте.
С появлением вычислительной техники стали использовать новый метод проектирования РЭА—математическое моделирование. Математическая модель радиоэлектронного устройства позволяет изобразить поведение изделия и процессы, происходящие в нем, с помощью математической зависимости. Как известно из курса «Радиоэлектроника», любую электрическую цепь на основе законов Ома и Кирхгофа можно представить в математическом виде. Одним из простейших элементов схемы является резистор, математическая модель которого выражается вольт-амперной характеристикой, т. е. зависимостью тока I от напряжения V на его выводах: и=Я1.
Для постоянного тока эта зависимость линейная. В высокочастотных цепях она будет нелинейной.
Более сложной является зависимость токов и напряжений в транзисторе. Математическая модель транзистора (рис. 1) определяется уравнениями, описывающими режимы его работы и процессы, происходящие в нем: /к=/1 (^кб^эб)>
/э=/2 111КБ иЭБ); /Б = /э —/к, где /к, /Б, /э—токи коллектора, эмиттера и базы; £/КБ, С/ЭБ—напряжения коллектор—база и эмиттер — база.