ким быстродействием и вырабатывающим импульсы напряжения очень малой длительности (10“9 с) с достаточно крутым фронтом и срезом. Схемы на туннельных диодах относительно дешевы и напряжение их питания составляет доли вольта. Регулировка мультивибратора на туннельном диоде заключается в подборе элементов схемы, при котором обеспечивается устойчивая генерация Ь>Я(Я0С, где Я1—выходное сопротивление источника питания, Я0—сопротивление диода в рабочей точке, С—суммарная паразитная емкость схемы и диода. Период генерируемых колебаний Т&2Ь/(Я{—Я0).
Частота импульсов, генерируемых мультивибраторами, в значительной степени зависит от изменения напряжения источников питания, теплового режима, отклонения параметров отдельных элементов схем и др. Для стабилизации работы мультивибраторов осуществляют синхронизацию источников питания и элементов схем.
Схема симметричного мультивибратора приведена на рис. 114, а, эпюры, поясняющие его работу,—на рис. 114,6.
Рис. 114. Схема симметричного мультивибратора (а) и эпюры напряжении (б)
тивибратора на интегральной микросхеме
Постоянные времени цепей разряда конденсаторов СУ и С2 соответственно 4=0,7 С1Р2 и /2=0>7 С2ЯЗ определяют длительность импульсов на выходе мультивибратора 4, интервал между ними щ и частоту 1/4- Частоту колебаний мультивибратора регулируют изменением значений Я2 и ЯЗ или СУ и С2. Форму и частоту следования импульсов наблюдают по осциллографу.
При использовании в качестве мультивибратора ИМС (рис. 115) грубую регулировку частоты следования импульсов производят подбором емкости конде-