Первые попытки миниатюризации РЭА были направлены на уменьшение размеров радиоэлементов и в первую очередь на создание миниатюрных электровакуумных и полупроводниковых приборов, резисторов, конденсаторов, катушек индуктивности, переключателей.
Разработка радиоэлементов в миниатюрном исполнении привела к появлению модулей, микромодулей и микросборок, а объемный (навесной) монтаж аппаратуры — к замене печатным монтажом. Модульная и микромодульная конструкции позволили существенно уменьшить массу и габариты аппаратуры по сравнению с объемным монтажом, повысить надежность ее работы и снизить трудоемкость производственного процесса. Модульное и микромодульное конструирование радиоаппаратуры изменили характер производства: значительно повысилась степень механизации и автоматизации, упростились сборочно-монтажные и регулировочные работы благодаря тщательной отработке, наладке и тренировке модулей (микромодулей или микросборок) до установки их в блоки. В настоящее время выпускают большую номенклатуру микросборок, микромодулей и аппаратуры на их базе.
Основной тенденцией в конструировании РЭА и ЭВМ в последние годы является комплексная микроминиатюризация —микроэлектроника.
Микроэлектроника-—это область электроники, охватывающая проблемы исследования, конструирования, изготовления и .применения микроэлектронных изделий (ИМС).
Интегральной микросхемой называется микроэлектронное устройство, выполняющее определенную функцию преобразования и обработки сигнала и имеющее высокую плотность упаковки электрически соединенных элементов (или элементов и компонентов) и (или) кристаллов, которое с точки зрения требований к испытаниям, приемке, поставке и эксплуатации рассматривается как единое целое.
Существенное увеличение надежности РЭА при одновременном уменьшении ее массы, габаритов и потребляемой мощности возможно благодаря созданию различных типов ИМС-^ полупроводниковых, пленочных и гибридных (рис. 19, а—г).
В соответствии с действующей документацией выпускаемые микросхемы делятся по конструктивно-технологическому исполнению и имеют следующее обозначение: полупроводниковые— 1, 5, 6 и 7, гибридные—2, 4 и 8 и пленочные (прочие)—3. По принятой системе обозначение ИМ С состоит из пяти элементов, например К201УС2, где первый элемент (буква) указывает назначение микросхемы (К—для аппаратуры широкого применения), второй элемент (цифра 2) определяет технологию изготовления, третий элемент (цифра 01)—порядковый номер серии, четвертый элемент (буквы) УС—функциональное назначение (усилитель синусоидальный) и пятый