а—электрическая, б—полупроводниковая, в—совмещенная, г—гибридная; I—5 нумерация соответствующих выводов
(цифра 2)—разновидность микросхемы данного функционального назначения.
По сравнению с пленочными и гибридными ИМС полупроводниковые имеют более высокие степень интеграции и параметры. Однако стоимость изготовления полупроводниковых ИМС дороже стоимости гибридных и пленочных.
Важнейшим параметром ИМС является степень интеграции, которая определяется по формуле К=\%М, где N—число элементов и компонентов, входящих в ИМС.
Интегральные микросхемы имеют пять степеней интеграции: первая содержит до 10 элементов и компонентов, вторая—до 100, третья—до 1000, четвертаяЩ-до 10 000, пятая—от 10 000 до 100 000.
В настоящее- время степень интеграции микроэлектроники определяется технологическим уровнем (литографией и совмещениями), позволяющим получать минимальные размеры элемента 3 • 102—102 А.
Наибольшее распространение получили полупроводниковые ИМС, все элементы и межэлементные соединения которых выполнены в объеме и на поверхности полупроводника.
В последние годы широкое распространение в различных областях радиоэлектроники получили полупроводниковые приборы со структурой металл—диэлектрик—полупроводник (МОП- или МДП-структуры).
В основе работы таких приборов лежит эффект поля (изменение ширины канала «инверсного слоя»), сопровождающийся изменением значения и знака проводимости на границе полупроводника с диэлектриком под действием приложенного внешнего напряжения. Регулируя внешнее напряжение, такие приборы могут выполнять функции усилителя (МОП-тран-зисторы), переменного резистора, конденсатора, варикапа, ди