электрика, выпрямителя, а в сочетании с другими полупроводниковыми структурами — комплементарные (дополняющие) пары (р-я-/?-типа).
В настоящее время ученые работают над увеличением числа активных элементов в одном кристалле полупроводниковой ИМС (повышение степени интеграции). Созданы микросхемы с плотностью в несколько сотен (БИС) и даже тысяч элементов (СБИС) на одном кристалле, а также многослойные микросхемы.
Это позволит перейти к новому этапу микроэлектроники — функциональной (молекулярной) микроэлектронике и созданию на ее базе новых типов приборов — функциональных молекулярных схем. Для функциональной микроэлектроники характерно использование различных объемных явлений, молекулярных и межмолекулярных связей. Помимо чисто электрических связей здесь используют оптические, акустические, магнитные, химические и другие явления.
Таким образом, развитие микроэлектроники происходит последовательно, в результате этого микроминиатюризация аппаратуры, начатая с простого уменьшения размеров радиоэлементов, позволяет применять новые материалы, технологию при использовании совершенно новых принципов, основанных на молекулярных свойствах веществ. Однако следует помнить, что уменьшение размеров РЭА на основе микроэлектроники должно сочетаться с увеличением надежности и долговечности, снижением стоимости и упрощением технологии изготовления аппаратуры.
Некоторые сравнительные параметры схемы в различном конструктивном исполнении (на лампах с печатным монтажом, на полупроводниковых приборах в микромодульном исполнении и на ИМС) приведены в табл. 1, а основные направления развития микроэлектроники—на рис. 20.
Рассмотрим технологию производства ИМС, а также основные технологические операции контроля и регулировки при их производстве.
Таблица 1. Зависимость параметров схемы и занимаемого ею объема от конструктивного исполнения