Л итография является универсальным способом получения изображения элементов микросхемы на кристалле полупроводника и делится на три вида: оптическую, рентгеновскую и электронную.
В производстве полупроводниковых ИМС самый универсальный технологический процесс—это оптическая литография, или фотолитография.
Рентгеновская литография (рентгенолитография) позволяет получить более высокую разрешающую способность (большую степень интеграции), так как длина волны рентгеновских лучей короче, чем световых. Однако рентгенолитография требует более сложного технологического оборудования.
Электронная литография (электронно-лучевое экспонирование) выполняется в специальных вакуумных установках и позволяет получить высокое качество рисунка микросхемы. Этот вид литографии легко автоматизируется и имеет ряд преимуществ при получении БИС с большим (более 105) числом элементов.
В настоящее время полупроводниковые элементы и компоненты микросхем получают тремя методами: эпитаксии, термической диффузии и ионного легирования.
Эпитаксия—процесс выращивания в вакууме слоев с упорядоченной кристаллической структурой. Этим методом можно получить сложные сочетания: полупроводник — полупроводник, полупроводник—диэлектрик, полупроводник — металл.
Для получения заданных параметров эпитаксиальных слоев осуществляют контроль и регулировку толщины, удельного сопротивления, распределения концентрации примеси по толщине слоя и плотности дефектов. Эти параметры слоев определяют пробивные напряжения и обратные токи р-п-переходов, сопротивления насыщения транзисторов, внутреннее сопротивление и волът-фарадные характеристики структур.
Термическая диффузия—это направленное перемещение частиц вещества в сторону убывания их концентрации, которое определяется градиентом концентрации. Термическую диффузию широко используют для введения легирующих примесей в полупроводниковые пластины или в выращенные на них эпитаксиальные слои для получения элементов микросхемы противоположного по сравнению с исходным материалом типа проводимости либо элементов с более низким электрическим сопротивлением. В первом случае получают, например, эмиттеры, во втором — коллекторы^
Свойства диффузионных слоев тщательно контролируют, обращая внимание на глубину залегания р-и-пере-хода, поверхностное сопротивление или поверхностную концентрацию примеси, распределение концентрации примеси по