Рис. 21. Основные этапы технологического процес-1 са получения элементов полупроводниковых микросхем е использованием фотолитографии: а—подготовка подложки, б—окисление, в — нанесение I фоторезиста, г—совмещение, д—экспонирование, е— 1 проявление, ж—травление, э—удаление фотореэистивной I маски, и—диффузия; Ї—подложка, 2—оксид кремния,! 3—фоторезист, 4—маска
глубине диффузионного слоя и плотность дефектов диффузионного слоя. Дефекты диффузйонных слоев (эрозию) проверяют микроскопом с большим уве-1 личением (до х 200).
Ионное легирование, также по-* лучило широкое применение при изготовлении полупроводниковых приборов с большой плотностью переходов, солнечных батарей, СВЧ-структур. Процесс ионного легирования определяется начальной кинетической энергией ионов в полупроводнике и выполняется в два этапа. Сначала в полупроводниковую пластину на вакуумной установке с дуговым разрядом внедряют ионы, а затем проводят отжиг при высокой температуре. В результате этого восстанавливается нарушенная структура полупроводника и ионы примеси занимают узлы кристаллической решетки.
Технология изготовления полупроводниковых ИМ С состоит из 15—20 операций, а иногда и более (рис. 21, а—и).
Промышленность выпускает большую номенклатуру полупроводниковых ИМС. Например, кремниевые микросхемы с диодно-транзисторными связями предназначены для работы в логических узлах ЭВМ и узлах автоматики; германиевые ИМС с непосредственными связями являются универсальными логическими переключающими элементами ИЛИ — НЕ.
Развитие полупроводниковой технологии привело к появлению сверхбольших ИМС (СБИС), а рост степени интеграции — к качественным изменениям схем. В сверхбольшую интегральную микросхему может входить большое число элементов одинаковой структуры либо различной структуры (например, однокристальные микроЭВМ, схемы цифровой обработки сигналов и др.).
К первому виду СБИС относят базовые матричные кристаллы, содержащие сотни и тысячи не соединенных между собой