• ОАО "Электропром"
  • Историческая справка
  • Наша Миссия
  • Партнеры
  • Совет молодежи
  • Совет ветеранов
  • Презентация
• Технологии
  • Производство
  • Используемое оборудование
  • Услуги по проектированию и изготовлению опытной партии изделий
  • Типовая технологическая схема создания продукта
  • Прототипирование
  • Субконтрактинг
• Продукция
• Контакты
  • Задать вопрос
  • ОАО «Электропром»
  • ОАО «НПО «Электропром»
  • ОАО «СКБ «ТУРБИНА»
• Том 1
• Том 2
• Том 3
• Том 4
• Том 5
• Новости

логических вентилей. Их коммутация в конкретную схему осуществляется персонально для каждого потребителя. Матрица содержит несколько комплементарных транзисторов, коммутируемых для получения нужной функции вентиля. Это позволяет снижать стоимость производства СБИС и создавать многофункциональные схемы, более дешевые по сравнению со специализированными. Таким образом, решается проблема минимизации числа выводов из корпуса кристалла: схемные межсоединения осуществляются внутри корпуса, а к имеющимся выводам подсоединяются только необходимые выводы логичес-

Рис. 22. Схема размещения микро-ЭВМ на одном кристалле СБИС: ГС—генератор    синхроимпульсов, СУ—схемы управления, С К—системный контроллер, Т—; таймер, Д—дешифраторы, ЗУ—запоминающее    устройство, УУ—устройство управления, У О—устройство обработки (данных, адреса и команд), АДУ—арифметико-логическое устройство; Д1—Д16,    СО—CIS,    ВО—BIS, Al—А16—микросхемы

кой схемы. Схема размещения устройств микроЭВМ на кристалле СБИС приведена на рис. 22.

В последние годы созданы полупроводниковые БИС, имеющие на кристалле кремния размером 1,45 х 1,6 мм до 1000 элементов (транзисторов, диодов, резисторов и др.) и более и выполняющие функции 300 отдельных ИМС и более. Разработан микропроцессор (микроЭВМ), имеющий свыше 10⁷ элементов на кристалле. Используя несколько навесных структур БИС на диэлектрической подложке с пассивной пленочной частью микросхем, можно получить микросборки (БГИС), которые просты в проектировании и изготовлении.

Дальнейшее уменьшение размеров элементов микросхемы и резкое повышение ее степени интеграции привели к созданию трехмерной (многослойной) микросхемы. Особенностью такой микросхемы по сравнению с обычной (планарное расположение элементов) является наличие двух активных слоев и более, разделенных диэлектриком. Элементы соседних слоев соединяются электрически (функционально).

Повышение интеграции микросхемы достигается автоматизацией и введением в технологический процесс математического моделирования с машинным проектированием топологии и применением новых методов формирования элементов (ионное легирование и др.). Основной цикл проектирования БИС состоит из двух этапов: архитектурно-схематического и конструкторско-технологического. Архитектурно-схематический этап включает разработку архитектуры и структуры ИМС, функциональных принципиальных электрических схем, математическое

53