Рис. 23. Схема изготовления толстопленочных микросхем
подложку и закрывают ту ее часть, которая не предназначена для напыления. Наиболее сложным процессом при нанесении пленочных элементов является совмещение трафаретов, так как для изготовления отдельных микросхем иногда требуется наложение до 15 трафаретов.
Электрическая схема и топологическая карта пленочной интегральной /?С-микросхемы показаны на рис. 24, а, 6.
В процессе изготовления пленочных микросхем контроль электрических параметров элементов, напыляемых на подложку, и их регулировка производятся автоматически. Например, при изготовлении пленочных резисторов толщина пленки, а следовательно, ее сопротивление Ш=рЬ/И1 (где р — удельное сопротивление материала пленки, Ом см; 6, /, А—ширина, длина и толщина, см) контролируются методом сравнения с эталонным образцом. Этот метод контроля и регулировки используется в измерительных комплексах ИС-1 и ИС-2. Контроль структур пленок производится визуально микроскопом МБС-1.
Возможность регулировки (доводки) параметров до номиналов требуемой точности после изготовления микросхем