1 — резистор, 2—проводящие дорожки, 3, 5—нижняя и верхняя обкладки конденсатора, 4—диэлектрик конденсатора, 6—защитный слой;
/— ///— выводы
является основным преимуществом пленочной технологии. Регулировка позволяет уменьшить разброс параметров при технологической обработке и получать прецизионные пленочные элементы. Параметры элементов микросхем (резисторов, конденсаторов) регулируют изменением их конфигурации (удалением пленки) либо изменением структуры пленок. Для удаления пленки наиболее распространенным является лазерный метод, отличающийся высокой производительностью и большой точностью подгонки номиналов (±1% и менее). Изменения размеров и плотности пленки достигают термообработкой, импульсной токовой подгонкой и другими методами.
§15. Технология изготовления гибридных микросхем. Контроль и регулировка их параметров
Гибридные интегральные микросхемы. Гибридные интегральные микросхемы (ГИС) кроме пассивных элементов, получаемых на подложке методами толсто- и тонкопленочной технологии, содержат активные элементы (диоды, транзисторы, микросхемы). Электрическое соединение навесных активных элементов с пленками ГИС осуществляют микропайкой, микросваркой или термокомпрессией.
Применение ГИС позволяет существенно снижать потребляемую мощность, повышать быстродействие, улучшать электромагнитную совместимость из-за сокращения длины соединительных линий, уменьшать восприимчивость узлов к помехам за счет уменьшения индуктивности и емкости линий, что, в свою очередь, повышает надежность аппаратуры. Особый интерес ГИС представляют для микроминиатюризации бытовой РЭА (радиоприемники, магнитофоны, телевизоры, различные усилители). Такие схемы имеют меньший, чем