чертежей (трафаретов), таблиц »координат для послойного совмещения трафаретов и информации, записанной на перфокартах, для автоматического управления специальным оборудованием (координатографами, графопостроителями и др.), необходимым для изготовления микросхем и микросборок. С помощью ЭВМ можно также произвести необходимое размещение микроэлементов схемы и монтаж соединений между ними, автоматически изменить параметры микросборок в процессе их изготовления.
При производстве микросхем и микросборок нельзя применять обычные методы монтажа, пайки и сварки, используемые при производстве функциональных узлов и микромодулей, так как большинство полупроводниковых материалов и диэлектрических подложек из керамики и стекла обладают низкой теплопроводностью, малыми пластичностью и сопротивляемостью к воздействию термических и механических напряжений.
Внутренний монтаж микросхем включает в себя следующие технологические операции: ориентирование и разделение пластин с готовыми структурами на кристаллы (подложки), установку и крепление одной или нескольких микросхем в корпусе и выполнение внутрисхемных соединений. Крепление кристаллов микросхемы осуществляют пайкой, сваркой или приклеиванием.
Внутрисхемные соединения между напыленными на кристаллы контактными площадками микросхемы и выводами ее корпуса выполняют проволочными перемычками, в качестве которых используют медные и Золотые микропровода толщиной 8—60 мкм, или осуществляют беспроволочный монтаж (соединение кристаллов с выводами, сборка на рамке, ленте или гибком носителе).
В зависимости от сочетания материалов и конструкции выводов при сборке микросхем применяют микросварку (термокомпрессионную, ультразвуковую, контактную, электроннолучевую, лазерную) и микропайку. Наибольшее распространение получили термокомпрессионная и ультразвуковая микросварка и микропайка. Самый распространенный способ монтажа кристаллов, поддающийся автоматизации,— эвтектическая пайка.
Термокомпрессионная микросварка заключается в одновременном воздействии на свариваемые детали давления и повышенной температуры. Соединяемые металлы разогреваются до определенной температуры (начало рекристаллизации), при которой начинает появляться заметное сцепление (диффузия) очищенных от оксидов поверхностей металлов при приложении даже небольшой нагрузки. Этим методом можно присоединять электрические выводы толщиной не более нескольких десятков микрон к контактным площадкам кристал