При определении режима пайки выводов микросхемы кроме соблюдения общих требований, предъявляемых к рабочему месту радиомонтажника и антистатической одежде (см. § 5), следует руководствоваться инструкциями и другими документами (паспортами) на микросхемы. При монтаже между корпусом микросхемы и местом пайки применяют теплоотводы. Для пайки следует использовать припой с температурой плавления не выше 150—180° С. Время пайки должно быть минимальным (несколько секунд). Корпус микросхемы должен /быть защищен экраном от попадания паров и брызг паяльного флюса. При пайке рекомендуется применять пастообразные или твердые канифольные флюсы на основе минеральных масел. Не допускается применять жидкие флюсы с активно действующими на металл веществами. Для пайки используют низковольтные паяльники не более 36 В. Корпус паяльника должен быть надежно заземлен. При отсутствии заземления следует паять отключенным паяльником.
Не рекомендуется промывка монтажа с микросхемами активными жидкостями (особенно содержащими ацетон, дихлорэтан). Правильно выбранный флюс и соблюдение правил пайки сводит к минимуму очистку монтажа и повреждение при этом деталей. Недопустимы пересоединение и перепайка микросхем с включенным источником питания.
Для упрощения монтажа и демонтажа микросхем при макетировании рекомендуется использовать специальные платы и ячейки. При монтаже мощных микросхем необходимы теплоотводы-радиаторы. Крепление мощных микросхем с радиаторами должно допускать свободную конвекцию воздуха. Широкое распространение получил метод охлаждения с помощью тепловых трубок. Не рекомендуется устанавливать микросхемы вблизи источников сильных электромагнитных и тепловых полей.
Радиоэлектронная аппаратура может изготовляться с использованием ИМС, размещенных в корпусах или бескорпусных. Изготовление бескорпусных ИМС требует нового подхода к конструированию устройств, организации их производства, а также к регулировке и настройке радиоэлектронных устройств. Технологические операции изготовления бескорпусных РЭА и основные участки ее производства показаны на рис. 29.
Бескорпусный метод конструирования позволяет размещать кристаллы микросхемы на общей подложке, где производится коммутация их соединений. Благодаря этому методу в несколько раз увеличивается плотность компоновки и сокращается внешняя коммутация проводников.
В последние годы при производстве РЭА на микросхемах применяют функционально-узловой метод сборки. Разработка РЭА по функционально-узловому методу сокращает сроки проектирования, дает возможность быстро вводить изменения